EUV光刻机的技术难点主要包括三大方面：曝光工具、掩膜和光刻胶，其中曝光工具包括EUV光源和光学系统；掩膜类似胶片相机的底片。

EUV光源透过掩膜，形成图案化的EUV光线，然后落到晶圆上；晶圆上涂有称为光刻胶的光敏化学物质，光刻胶遇到EUV会起化学反应，可以用来蚀刻晶圆。

在曝光工具反面，ASET需要开发的不仅仅包括光源和光学系统，也包括其他很重要的部分，比如晶圆和掩膜的机械对准技术，它需要在0.5nm的误差范围内，对准晶圆和掩膜。

面对第一阶段艰难的项目进程，ASET选择将有限的资源集中在光学系统方面，但是对于项目最难的部分EUV光源，ASET决定将这部分外包给了一个2001年新成立的研究组织：极紫外光刻系统开发协会（EUVA）。

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